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在 PtL3边缘(a)、电力电量NiK边缘(b)和NbK边缘(c)处收集的XANES光谱。交易交易 b 比较(a)中样品在10mAcm-2 下的过电势和100mV下的质量活度。
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@2023TheWiley图3(a-c)未组装的Et4TBAPy连接体在纳秒时间尺度下的TA光谱,(a)在脱气的MeTHF溶剂中显示出弱但长寿命的T1-Tn吸收，电力电量在(b)对应的通气溶剂中猝灭。@2023TheWiley图6(a)SIU-175（紫色）与H4PEA连接体（虚线，交易交易蓝色）的吸收电子跃迁。
